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IXTY1R6N50D2 IXTA1R6N50D2
IXTP1R6N50D2
10,000
Fig. 13. Capacitance
5
Fig. 14. Gate Charge
f = 1 MHz
4
3
V DS = 250V
I D = 0.8A
I G = 10mA
1,000
100
Ciss
Coss
2
1
0
-1
-2
-3
10
Crss
-4
-5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
5
10
15
20
25
10.0
V DS - Volts
Fig. 15. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 25oC
10.0
Q G - NanoCoulombs
Fig. 16. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 75oC
R DS(on) Limit
R DS(on) Limit
25μs
100μs
100μs
1.0
1ms
1.0
1ms
10ms
T J = 150oC
100ms
T J = 150oC
10ms
T C = 75oC
0.1
T C = 25oC
Single Pulse
DC
Single Pulse
Fig. 17. Maximum Transient Thermal Impedance
0.1
DC
100ms
10.00 10
100
1,000
10
100
1,000
2.00
1.00
0.10
0.01
V DS - Volts
Fig. 17. Maximum Transient Thermal Resistance
V DS - Volts
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: T_1R6N50D2(2C)8-14-09
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IXTA200N075T 功能描述:MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTA200N075T7 功能描述:MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTA200N085T 功能描述:MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IXTA200N085T7 功能描述:MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IXTA220N04T2-7 功能描述:MOSFET 220 Amps 40V 0.0035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube